Samsung 990 EVO 1TB SSD M.2 NVMe PCIe Gen4 x4

Velocidad que va por delante
El 990 EVO ofrece velocidades de lectura/escritura secuencial mejoradas de hasta 5.000/4.200 MB/s, y velocidades de lectura/escritura aleatoria de hasta 700K/800K IOPS, alcanzando un 43% más de velocidad que el 970 EVO Plus de 2 TB. Espere menos para los juegos y acceda rápidamente a los archivos grandes.

Eficiencia energética evolucionada
Encienda y permanezca encendido. Con una notable mejora del 70% en eficiencia energética respecto al modelo anterior, compute durante más tiempo sin preocuparse por la duración de la batería. Además, es compatible con Modern Standby, lo que le permite permanecer conectado a Internet y seguir recibiendo notificaciones incluso en estado de bajo consumo.

Solución térmica inteligente
La etiqueta disipadora de calor de la 990 EVO ayuda al control térmico del chip NAND. El algoritmo de control térmico de vanguardia de Samsung, junto con Dynamic Thermal Guard, garantiza un rendimiento constante y fiable. Mantenga su rendimiento al rojo vivo, no su unidad.

Software Samsung Magician
Haga que su SSD funcione como por arte de magia. Las herramientas de optimización del software Samsung Magician garantizan el mejor rendimiento de la SSD. Es la forma segura y fácil de migrar todos sus datos para una actualización de SSD Samsung. Proteja datos valiosos, supervise el estado de la unidad y obtenga las últimas actualizaciones de firmware.

Dando vida a las innovaciones
Durante décadas, la memoria flash NAND de Samsung ha impulsado tecnologías revolucionarias que han cambiado todos los aspectos de nuestra vida cotidiana. Esta tecnología flash NAND también impulsa nuestras unidades SSD de consumo, dejando espacio para el próximo gran impulso de la innovación.


ESPECIFICACIONES:

Código de modelo (Capacidad)1)
MZ-V9E1T0BW (1TB)

Características generales
APLICACIÓN
PC cliente

FACTOR DE FORMA
M.2 (2280)

INTERFAZ
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0

DIMENSIONES (AnxAlxPr)
80 x 22 x 2.38mm

PESO
Peso máximo 9.0g

MEMORIA DE ALMACENAMIENTO
Samsung V-NAND TLC

CONTROLADOR
Controlador interno Samsung

MEMORIA CACHÉ
HMB (Memoria intermedia del host)

Característica especial
COMPATIBILIDAD CON TRIM
Compatible con

COMPATIBILIDAD CON S.M.A.R.T.
Compatible con

GC (RECOGIDA DE BASURA)
Algoritmo automático de recogida de basura

COMPATIBILIDAD CON CIFRADO
Cifrado AES de 256 bits (clase 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada)

SOPORTE WWN
No soportado

COMPATIBILIDAD CON EL MODO DE SUSPENSIÓN DEL DISPOSITIVO
Sí

Rendimiento2)
LECTURA SECUENCIAL
1 TB: hasta 5.000 MB/s

ESCRITURA SECUENCIAL
1 TB: hasta 4.200 MB/s

LECTURA ALEATORIA (4KB, QD32)
1 TB: hasta 680.000 IOPS

ESCRITURA ALEATORIA (4KB, QD32)
1 TB: hasta 800.000 IOPS

LECTURA ALEATORIA (4KB, QD1)
1 TB: hasta 20.000 IOPS

ESCRITURA ALEATORIA (4KB, QD1)
1 TB: hasta 90.000 IOPS

Medio ambiente
CONSUMO MEDIO DE ENERGÍA
(NIVEL DEL SISTEMA)3)
1TB: Media: Lectura 4,9 W / Escritura 4,5 W

CONSUMO DE ENERGÍA (EN REPOSO)3)
1 TB: 60 mW típicos

CONSUMO DE ENERGÍA (DISPOSITIVO EN REPOSO)
1 TB: 5 mW típicos

VOLTAJE PERMITIDO
3,3 V ± 5 % Tensión admisible

FIABILIDAD (MTBF)
1,5 millones de horas de fiabilidad (MTBF)

TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO
0 - 70 ℃ Temperatura de funcionamiento

CHOQUE
1.500 G y 0,5 ms (medio seno)